Люминесценцияның өшуiнiң дислокациялану механизмi
Қаралымдар: 80 / PDF жүктеулері: 46
DOI:
https://doi.org/10.32523/2616-6836-2018-122-1-91-100Аңдатпа
12 МэВ 12 С, 56 МэВ 40 Ar және 34 МэВ 84 Kr иондарымен сәулелендiрiлген 1010 − 1015 ион/см 2 флюенсте LiF кристалдарындағы F2 және F+3 центрлерi болуындағы фотолюминесценция мен наноқатаңдығының тәуелдiлiктерi лазерлiк сканерлеушi конфокальдi микроскопты, дислокацияларды өңдеу және наноиндендор әдiстерiн пайдалану арқылы зерттелдi.
Наноқатаңдықты өлшеу және дислокациялық өңдеудiң мәндерi көрсеткендей, дислокация концентрацияның ұлғаюы мен елеулi қатаю эффектiсi, басқа да наноақаулар ионның жүру жолының соңғы аймағында серпiмдi соқтығысу механизмiнiң әсерiнен ақаулардың көп үлесi пайда болады. Жоғарғы флюенсте байқалатын люминесценциялық
қарқындылықтың өшуi, агрегатты боялу центрлерi тұзақ тәрiздi қарқынды дислокацияның пайда болуына байланысты.
Құрылымның зақымдану сатысындағы басқа да кеңейтiлген ақаулардың және дислокацияның кернеулiк жергiлiктi
өрiсiнiң негiзгi орны ұсынылды.