Дислокационный механизм затухания люминесценции
Просмотры: 74 / Загрузок PDF: 42
DOI:
https://doi.org/10.32523/2616-6836-2018-122-1-91-100Аннотация
Изучены зависимости нанотвердости и фотолюминесценции F2 и F+3 центров от глубины в кристаллах LiF, облученных ионами 12 МэВ 12 С, 56
МэВ 40 Ar и 34 МэВ 84 Kr при флюенсах 1010 − 1015 ион/см 2, с использованием лазерной сканирующей конфокальной микроскопии, травления дислокаций и методом наноиндентирования. Измерения нанотвердости и данные травления дислокаций показали значительный эффект упрочненения и повышенную концентрацию дислокаций и других
нанодефектов в области конца ионного пробега с доминирующим вкладом дефектов, образованных механизмом упругих столкновений. Наблюдаемое затухание интенсивности люминесценции при высоких флюенсах связано с интенсивным зарождением дислокаций в качестве ловушек для агрегатных центров окраски. Предложена активирующая роль локального поля напряжений дислокаций и других протяженных дефектов в эволюции структуры повреждений.