Разработка и исследование нанокомпозитных материалов на основе трекового темплэйта SiO2/Si

Авторы

  • А. Даулетбекова
  • З. Баймуханов
  • А. Козловский
  • Ш. Гиниятова
  • М. Мурзагалиев
  • Е. Журкин
  • Р. Наурызбаева

Аннотация

В настоящей работе представлены результаты по исследованию нанокластеров, полученных при электрохимическом осаждении цинкав трековые темплэйт a − SiO2/Si − n . Поверхность осажденных образцов исследовалась с помощью сканирущего электронного микроскопа JSM 7500F. Рентгеноструктурный анализ образцов проводился на рентгеновском дифрактометре D8 ADVANCE ECO с использованием рентгеновской трубки с Cu- анодом в
диапазоне углов 2θ 30 ◦ -110 ◦с шагом 0.01 ◦. Для идентификации фаз и исследования кристаллической структуры использовалось программное обеспечение BrukerAXSDIFFRAC.EVAv.4.2 и международная база данных ICDD PDF-2. При электрохимическом осаждении цинка в трековый темплэйт a − SiO2/Si − n были
получены нанокристаллы оксида цинка в трех кристаллических фазах: вюрцит, сфалерит и структура каменной соли. Следует отметить, что вид структуры зависит от приложенного к электродам напряжения. Установлен оптимальный режим ЭХО, с получением наиболее распространенной фазы ZnO, вюрцит.

Загрузки

Опубликован

2022-07-04

Как цитировать

Даулетбекова, А. ., Баймуханов, З. ., Козловский, А. ., Гиниятова, Ш. ., Мурзагалиев, М. ., Журкин, Е. ., & Наурызбаева, Р. . (2022). Разработка и исследование нанокомпозитных материалов на основе трекового темплэйта SiO2/Si. Физика. Астрономия, 122(1), 82–90. извлечено от https://bulphysast.enu.kz/index.php/physast/article/view/102

Выпуск

Раздел

Статьи

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)