SiO2/Si тiректi темплэйт негiзiнде нанокомпзиттi материалдарды зерттеу және әзiрлеу


Қаралымдар: 85 / PDF жүктеулері: 62

Авторлар

  • А. Даулетбекова
  • З. Баймуханов
  • А. Козловский
  • Ш. Гиниятова
  • М. Мурзагалиев
  • Е. Журкин
  • Р. Наурызбаева

DOI:

https://doi.org/10.32523/2616-6836-2018-122-1-82-90

Аңдатпа

Мақалада a−SiO2/Si−n тректi темплэйттерде мырышты электрохимиялық тұндыру арқылы алынған нанокластерлердi зерттеу нәтижелерi келтiрiлген. Тұндырылған үлгiлердiң бетi JSM 7500F сканерлеушi электронды микроскоппен зерттелдi. Cu-анод рентген түтiкшесi бар D8 ADVANCE ECO рентгендi дифрактометрде 0.01 ◦ қадаммен 30 ◦ -110 ◦ бұрыштар аралығында 2θ үлгiлердiң рентгенқұрылымдық талдауы жүргiзiлдi. Фазаларды идентификациялау және кристалдық құрылымды зерттеу үшiн халықаралық ICDD PDF-2 дерекқоры мен Bruker AXS DIFFRAC.EVAv.4.2 қамту бағдарламасы пайдаланылды. a − SiO2/Si − n тректi темплэйттерде мырышты электрохимиялық тұндыру кезiнде мырыш оксидiнiң нанокристалдары үш кристалды фазасында алынды: вюрцит, сфалерит және тас тұзы құрылымы. Құрылымның түрi электродтарға қолданылатын кернеуге байланысты екенi анықталды. Ең кең тараған ZnO, вюрцит фазаларын алу арқылы оңтайлы ЭХЗ режимi орнатылды.

Жүктеулер

Жарияланды

2022-07-04

Дәйексөзді қалай келтіруге болады

Даулетбекова, А. ., Баймуханов, З. ., Козловский, А. ., Гиниятова, Ш. ., Мурзагалиев, М. ., Журкин, Е. ., & Наурызбаева, Р. . (2022). SiO2/Si тiректi темплэйт негiзiнде нанокомпзиттi материалдарды зерттеу және әзiрлеу. Л.Н. ГУМИЛЕВ АТЫНДАҒЫ ЕУРАЗИЯ ҰЛТТЫҚ УНИВЕРСИТЕТІНІҢ ХАБАРШЫСЫ. ФИЗИКА. АСТРОНОМИЯ СЕРИЯСЫ, 122(1), 82–90. https://doi.org/10.32523/2616-6836-2018-122-1-82-90

Журналдың саны

Нөмір 122 № 1 (2018)

Бөлім

Статьи

Most read articles by the same author(s)