Селен (Se) және теллур (Te) қосылған галий антимониді (GaSb) кристалдарының фотолюминесценциясы

Аңдатпа

Бұл жұмыс галлий антимонидінің кристалдарындағы фотолюминисценцияны зерттеуге арналған негізгі жұмыстардың қысқаша шолуын, сондай-ақ аймақтық құрылымның ерекшеліктерін және қоспа күйлерінің классификациясын қарастырады. (. ) концентрациядиапазонында селен мен теллур үшін легирленген галлий антимонидінің фотолюминисценциясы берілген. GaSb фотолюминесценциясы қос табиғи акцептордың өткізгіштік аймағынан екінші иондалған күйіне өту арқылы анықталатыны көрсетілген. Шығару сызығының максимумының пішіні мен орны қоспаның кулондық потенциалымен, өткізгіштік аймағындағы қосымша минимумдармен және олармен байланысты резонанстық қоспа күйлерімен анықталады.Құрамында әртүрлі донорлық қоспалар (селен, теллур) бар галлий антимониді кристалдарының фотолюминесценция спектрлеріндегі айырмашылықтар өткізгіштік зонаның L-минимумдарымен байланысты резонанстық қоспалар деңгейлерінің әсерінен болатыны анықталды. GaSb фотолюминесценция спектрлерінің пішінінің теориялық есептеулері жүргізілді.Максимумның орналасуы және қысқа толқынды сәулелену сызықтарының қанаты іс жүзінде Ферми деңгейінің орналасуымен анықталады бұл электрондардың энергиясының жоғарылауымен тосқауыл мөлдірлігінің күрт өсуіне байланысты.Мақалада жұмыс нәтижелерінің практикалық маңыздылығы сонымен қатар жартылай өткізгіш құрылғылардың әртүрлі түрлерінде оптикалық және фотолюминесценциялық  құбылыстарды кеңінен қолданумен байланысты екені келтірілген.