Фотолюминисценция кристаллов антимонида галлия (GaSb) легированных селеном (Se) и теллуром (Te)

Аннотация

В данной работе рассматриваются краткий обзор основных работ, посвященных исследованию фотолюминисценций в кристаллах антимонида галлия, а также особенности зонной структуры и классификация примесных состояний. Приведены фотолюминисценция антимонида галлия, легированных селеном и теллуром в диапазоне концентраций (. ) для селена и теллура соответственно. Показано что фотолюминисценция GaSb определяется перепадами из зоны проводимости на второе ионизованное состояние двойного природного акцептора. Форма и положение максимума линий излучения определяется кулоновским потенциалом примеси, дополнительными минимумамизоны проводимости и резонансными примесными состояними связанными с ними. Выявлено, что различие спектров фотолюминисценций кристаллов антимонида галлия,содержащих различные донорные примеси (селен, теллур) обусловлен влиянием резонансных примесных уровней связанных с L–минимумами зоны проводимости. Проведены теоретические расчеты формы спектров фотолюминисценций GaSb. Положение максимума и коротковолновые крыло линий излучения практически определяется положением уровня Ферми что обусловлено резким возрастанием прозрачности барьера при увеличений энергий электронов.Практическое значение итогов работы в статье связано также с широким использованием оптических и фотолюминисцентных явлений в различных типах полупроводниковых приборов.