Кинетика плазмы моносилана SiH4 , генерируемой электронным пучком, и влияние распределения энергии электронов на химическое осаждение кремния из паровой фазы

Аннотация

Химическая кинетика моносилана SiH4 напрямую зависит от распределения электронов по энергиям,
а также от образования исходного облака электронов внешним источником ионизации. В данной статье распределение электронов по энергиям рассчитывается методом Монте-Карло в сочетании с химической кинетикой. Предлагаемые статистические расчеты, подтвержденные соответствующими решениями уравнения Больцмана, представляют кардинально иную картину эволюции химической кинетики по сравнению с той, которая изображена распределением
Максвелла. Коэффициенты переноса электронов также оцениваются в сильных электрических полях и анализируются с акцентом на скорость полезных химических реакций (непосредственно связанных с образованием химического осаждения из паровой фазы, контролируемого и регулируемого немаксвелловским распределением электронов по энергии.