Отжиг диэлектрических свойств GaAs, компенсированного облучением нейтронами

А Русакова; А Акилбеков; М Жунусова

doi:10.32523/2616-6836-2019-129-4-107-112

Отжиг диэлектрических свойств GaAs, компенсированного облучением нейтронами

Просмотры: 100 / Загрузок PDF: 61

Авторы

А Русакова
А Акилбеков
М Жунусова

DOI:

https://doi.org/10.32523/2616-6836-2019-129-4-107-112

Аннотация

В данной статье исследованы конденсаторы с диэлектриками из кремния и арсенида галия, облученные нейтронами. Проанализировано возможное влияние разных типов контактов (металл – полупроводник) на емкость конденсаторов. Показано, что компенсированные радиационными дефектами слои GaAs могут применяться в качестве изоляции элементов интегральных схем.

Загрузки

Опубликован

2022-07-05

Как цитировать

Русакова, А., Акилбеков, А., & Жунусова, М. (2022). Отжиг диэлектрических свойств GaAs, компенсированного облучением нейтронами. ВЕСТНИК ЕВРАЗИЙСКОГО НАЦИОНАЛЬНОГО УНИВЕРСИТЕТА ИМЕНИ Л.Н. ГУМИЛЕВА. СЕРИЯ: ФИЗИКА. АСТРОНОМИЯ, 129(4), 107–112. https://doi.org/10.32523/2616-6836-2019-129-4-107-112