Азотпен имплантталған кремний нитридi қабықшаларының люминесценциясы
Қаралымдар: 71 / PDF жүктеулері: 55
DOI:
https://doi.org/10.32523/2616-6836-2018-122-1-68-74Аңдатпа
Азот ионымен имплантталған және 800 және 1200 ◦ C температурады қыздырылған кремний нитридiнiң
LPCVD қабықшаларының электронды парамагниттi резонансы мен фотолюминесценциясын зерттеу. Бастапқы нитрид қабықшаларын 800 ◦ C температурада 3 минут жылдам термиялық қыздыру люминесценттiк сигналдың төмендеуiне, ал 1200 ◦ C қыздыру көгiлдiр-жасыл аймақта интенсивтi жарқыраудың күшеюiне апарады. Азотты импланттау люминесценция сигналының толық сөнуiн туғызады, бұл радиациялық әсерден болуы мүмкiн. Бiрақ 1200 ◦ C температурада қыздырудан кейiн 1 ∗ 1016 cм −2 дозада азотты алдын-ала имплантациялау көгiлдiр-жасыл аймақта жарқырауын күшейтедi. Бұл аморфты кремний нитридiнiң (N-орталықтарының) iшкi ақауларының спектрдiң жоғары энергетикалық аймағында люминесценцияға қосқан үлесiн растайды.