Β-Ga2O3 β электронды құрылымы және түйінаралық өзара әрекеттесуі: MNDO талдауы
Қаралымдар: 24 / PDF жүктеулері: 14
DOI:
https://doi.org/10.32523/2616-6836-2025-150-1-60-74Кілт сөздер:
β-Ga₂O3, MNDO, түйінаралық галлий атомы, электронды қасиеттері, байланыс энергиясыАңдатпа
Бұл жұмыста HyperChem бағдарламасын пайдалана отырып, β-Ga₂O₃ кристалдық торындағы галлийдің (Ga) тораралық атомдарының қасиеттері жартылай эмпирикалық әдіспен зерттелді. Зерттеудің негізгі мақсаты - Ga³⁺, Ga²⁺, Ga⁺ және бейтарап Ga⁰ күйіндегі тораралық атомдардың әртүрлі зарядтық күйлерін модельдеу. Радиация әсерінен өтпелі процестер кезінде галлий атомының электрондарды басып алу арқылы зарядтық күйінің өзгеру мүмкіндіктері қарастырылды. Сондай-ақ, β-сәулеленудің нәтижесінде электрондарды ұстай алатын бос тор түйіндерінің моделі жасалды. Алынған нәтижелер әртүрлі зарядтық күйлердегі тораралық атомның айналасындағы электрондық құрылым мен жергілікті деформациялардағы өзгерістерді талдауға мүмкіндік береді. Бұл зерттеу β-Ga₂O₃ материалындағы ақаулардың радиация әсерінен мінез-құлқын және оның электрондық қасиеттерге әсерін тереңірек түсінуге көмектеседі.