Кристалды Si 3 N 4 -те латенттi тректердiң пайда болу энергиясының ионизациялық жоғалтуының шектi деңгейiн анықтау


Қаралымдар: 94 / PDF жүктеулері: 84

Авторлар

  • А Ибраева
  • А Янсе Ван Вуурен
  • В Скуратов
  • М Здоровец

DOI:

https://doi.org/10.32523/2616-6836-2019-129-4-8-14

Аңдатпа

Берiлген жұмыс материалдың радиациялық- ынталандырылған аморфизациясы бойынша деректердi
талдау негiзiнде кремнийдiң поликристалды нитридiнде Set латенттi тректерiнiң пайда болу энергиясының
ионизациялық ысырабының мәнiн анықтауға арналған. Үлгiлер Si 3 N 4 (Al) 167 МэВ энергиясымен және 220
МэВ жоғары тығыздығымен Xe ионымен сәулеленген (6 × 10 14 и 2 × 10 14 см −2 , сәйкесiнше). Көлденең қима
геометриясында осы үлгiлердiң құрылымын талдау ПЭМ негiзiнде төменгi шекарасы Set ˜6,7 кэВ/нм деңгейiнде
анықталды

Жүктеулер

Жарияланды

2022-07-05

Дәйексөзді қалай келтіруге болады

Ибраева, А., Янсе Ван Вуурен, А., Скуратов, В., & Здоровец, М. (2022). Кристалды Si 3 N 4 -те латенттi тректердiң пайда болу энергиясының ионизациялық жоғалтуының шектi деңгейiн анықтау. Л.Н. ГУМИЛЕВ АТЫНДАҒЫ ЕУРАЗИЯ ҰЛТТЫҚ УНИВЕРСИТЕТІНІҢ ХАБАРШЫСЫ. ФИЗИКА. АСТРОНОМИЯ СЕРИЯСЫ, 129(4), 8–14. https://doi.org/10.32523/2616-6836-2019-129-4-8-14

Журналдың саны

Нөмір 129 № 4 (2019)

Бөлім

Статьи

Most read articles by the same author(s)