К вопросу об определении порогового уровня ионизационных потерь энергии образования латентных треков в кристаллическом Si 3 N 4


Просмотры: 92 / Загрузок PDF: 82

Авторы

  • А Ибраева
  • А Янсе Ван Вуурен
  • В Скуратов
  • М Здоровец

DOI:

https://doi.org/10.32523/2616-6836-2019-129-4-8-14

Аннотация

Настоящая работа посвящена определению порогового уровня ионизационных потерь энергии образования латентных треков Set в поликристаллическом нитриде кремния на основе анализа данных по радиационно-стимулированной аморфизации материала. Образцы
Si 3 N 4 (Al) были облучены ионами Xe с энергиями 167 МэВ и 220 МэВ высокой плотности (6 × 10 14 и 2 × 10 14 см −2 соответственно). На основе ПЭМ анализа структуры этих образцов в геометрии поперечного сечения определена нижняя граница Set на уровне ˜ 6,7 кэВ/нм.

Загрузки

Опубликован

2022-07-05

Как цитировать

Ибраева, А., Янсе Ван Вуурен, А., Скуратов, В., & Здоровец, М. (2022). К вопросу об определении порогового уровня ионизационных потерь энергии образования латентных треков в кристаллическом Si 3 N 4. ВЕСТНИК ЕВРАЗИЙСКОГО НАЦИОНАЛЬНОГО УНИВЕРСИТЕТА ИМЕНИ Л.Н. ГУМИЛЕВА. СЕРИЯ: ФИЗИКА. АСТРОНОМИЯ, 129(4), 8–14. https://doi.org/10.32523/2616-6836-2019-129-4-8-14

Выпуск

Том 129 № 4 (2019)

Раздел

Статьи

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)