Галий оксидiнiң ( β -Ga 2 O 3 ) оттегi бос орындарын бiрiншi принциппен зерттеу


Қаралымдар: 134 / PDF жүктеулері: 75

Авторлар

  • М. В. Здоровец
  • A. Б. Усеинов
  • A. Т. Акилбеков
  • A. I. Popov
  • Ж. К. Койшыбаева
  • А. Платоненко

DOI:

https://doi.org/10.32523/2616-6836-2021-137-4-53-60

Аңдатпа

Галлий оксидi β -Ga 2 O 3 оптоэлектроника мен радиациялық детекциялауда перспективтi материал
болып табылады. Зерттеулердiң кең спектрiне қарамастан, кристалдың электронды қасиеттерiне өз ақауларының әсерi мен рөлi маңызды. Бұл жұмыста B3LYP гибридтi алмасу-корреляциялық функционалын және атом орбитальдарының сызықтық комбинацияларын жақындатуды қолдана отырып, β -Ga 2 O 3 кристалындағы оттегi бос орындарының зарядтық күйiнiң түзiлу энергиясы мен ауысу деңгейлерi келтiрiлген. β -Ga 2 O 3 -те оттегi бос орнының пайда болуы терең донорлық деңгейлердiң түзiлуiне алып келедi. Есептеулер нәтижесiнде, оттегi бос орындарының пайда болуы β -Ga 2 O 3 кристалдарындағы n типтi өткiзгiштiкте маңызды рөл атқармайды деген болжам жасалды.

Жүктеулер

Жарияланды

2022-07-01

Дәйексөзді қалай келтіруге болады

Здоровец , М. В., Усеинов A. Б., Акилбеков A. Т., Popov , A. I., Койшыбаева , Ж. К., & Платоненко , А. (2022). Галий оксидiнiң ( β -Ga 2 O 3 ) оттегi бос орындарын бiрiншi принциппен зерттеу. Л.Н. ГУМИЛЕВ АТЫНДАҒЫ ЕУРАЗИЯ ҰЛТТЫҚ УНИВЕРСИТЕТІНІҢ ХАБАРШЫСЫ. ФИЗИКА. АСТРОНОМИЯ СЕРИЯСЫ, 137(4), 53–60. https://doi.org/10.32523/2616-6836-2021-137-4-53-60

Журналдың саны

Нөмір 137 № 4 (2021)

Бөлім

Статьи

Most read articles by the same author(s)