COMPARATIVE CATHODOLUMINESCENCE OF NANOSTRUCTURED AlN AND AlN NANOTUBE/CsI SCINTILLATOR COMPOSITES
Қаралымдар: 0 / PDF жүктеулері: 0
Кілт сөздер:
алюминий нитриді, нанотүтікшелер, алюминий гибридті композит, үзіліссіз арматураланған алюминий матрицалық композит, нанобөлшектер, беттік күйлер, цезий иодидіАңдатпа
80–300 К температура аралығында өнеркәсіптік алюминий нитриді ұнтағының, доғалық плазмалық әдіспен синтезделген AlN нанобөлшектері мен нанотүтікшелерінің, сондай-ақ AlN нанотүтікшелері/CsI композиттерінің катодолюминесценциясы салыстырмалы түрде зерттелді. 80 К температурада өнеркәсіптік AlN үшін 3,47 эВ максимумды жолақ, нанобөлшектер үшін шамамен 3,66 эВ сәуле шығару байқалды, ал нанотүтікшелер спектрінде 2,2, 3,0 және 3,5 эВ маңындағы бірнеше құрамдас бар. Бұл айырмашылықтар тепе-тең емес фазалық және ақаулық құрылыммен, қисықтықпен және беттік күйлердің жоғары үлесімен байланысты. 3,47 эВ жолағының температуралық сөнуін Мотт–Зейтц моделімен формалды жуықтау шамамен 24 мэВ белсендіру энергиясын берді. Жолақ орны мен енінің айқын өзгермеуі интенсивтіліктің төмендеуін тек кәдімгі термиялық сөнумен түсіндіруге болмайтынын және тасымалдаушылардың сәуле шығармайтын беттік күйлерге миграциясы маңызды екенін көрсетеді. CsI матрицасына 0,25–0,50 масс.% AlN нанотүтікшелерін енгізу сәуле шығару профилін өзгертеді, бұл қайта жұтылу және/немесе фазааралық энергияның қайта бөлінуімен үйлеседі. Энергия тасымалының тиімділігін сандық бағалау үшін абсолюттік жарық шығымын және өшу кинетикасын өлшеу қажет.
