Стабильное формирование BiVO4/ZnO гетероструктуры методом мягкого осаждения


Просмотры: 171 / Загрузок PDF: 20

Авторы

  • Бекболат Сейтов Международный казахско-турецкий университет имени Ходжи Ахмеда Ясави
  • Дина Бакранова SDU University https://orcid.org/0000-0002-0793-9905
  • Сапраргали Пазылбек Университет имени Ж.А. Ташенева
  • Кули Ж.Т.
  • Бакранов Н.Б.
  • Капсаламова Ф.Р.

DOI:

https://doi.org/10.32523/2616-6836-2025-152-3-67-84

Ключевые слова:

оксид цинка, ванадат висмута, гидротермальный синтез, фотоэлектрохимия, этиленгликоль, мягкое осаждение

Аннотация

В этой работе представлены результаты мягкого двухступенчатого послойного (layer-by‑layer) осаждения ванадата висмута (BiVO4) на, синтезированные гидротермальным методом, наностержни оксида цинка (ZnO) методом spin‑coating. Контроль вязкости, концентрации прекурсоров играет ключевую роль в регулировке толщины, однородности и стабильности сформированных пленок BV на Zno. Характеризация полученных образцов проводилась с помощью комплекса методов. Сначала использовалась UV–Vis‑спектроскопия, которая позволила определить спектр поглощения в видимой области после нанесения BiVO4. Далее методом рентгеноструктурного анализа (XRD) были подтверждены наличие моноклинной фазы BiVO4 и вюрцитной фазы ZnO, а также оценен уровень кристалличности образцов. Наконец, сканирующая электронная микроскопия (SEM) показала морфологию ZnO и стабильное покрытие их слоем BiVO4. Для оценки практических качеств гетероструктур BiVO4/ZnO  было проведено фотоэлектрохимическое измерение с линейным вольтамперным сканированием в полевых естественных условиях, демонстрирующие работоспособность пленок в реальных условиях. Полученные результаты подтвердили, что предложенный метод двухступенчатого spin‑coating с оптимизированной вязкостью растворов позволяет создавать стабильные гетероструктуры, пригодные для применения в фотоэлектрохимических устройствах.

Биографии авторов

Дина Бакранова, SDU University

PhD, Ассоциированный профессор SDU University, Факультет инженерии и естественных наук, ул. Абылай хана 1/1, 040900, Каскелен, Казахстан

Сапраргали Пазылбек, Университет имени Ж.А. Ташенева

доктор PhD, ассоциированный профессор кафедры «Математика и информатика», Университет имени Ж.А. Ташенева, проспект Кунаева 21, 160012, Шымкент, Казахстан

Загрузки

Опубликован

2025-09-30

Как цитировать

Сейтов, Б., Бакранова, Д., Пазылбек, С., Кули Ж.Т., Бакранов Н.Б., & Капсаламова Ф.Р. (2025). Стабильное формирование BiVO4/ZnO гетероструктуры методом мягкого осаждения. ВЕСТНИК ЕВРАЗИЙСКОГО НАЦИОНАЛЬНОГО УНИВЕРСИТЕТА ИМЕНИ Л.Н. ГУМИЛЕВА. СЕРИЯ: ФИЗИКА. АСТРОНОМИЯ, 152(3), 67–84. https://doi.org/10.32523/2616-6836-2025-152-3-67-84

Выпуск

Раздел

Статьи