Стабильное формирование BiVO4/ZnO гетероструктуры методом мягкого осаждения
Просмотры: 171 / Загрузок PDF: 20
DOI:
https://doi.org/10.32523/2616-6836-2025-152-3-67-84Ключевые слова:
оксид цинка, ванадат висмута, гидротермальный синтез, фотоэлектрохимия, этиленгликоль, мягкое осаждениеАннотация
В этой работе представлены результаты мягкого двухступенчатого послойного (layer-by‑layer) осаждения ванадата висмута (BiVO4) на, синтезированные гидротермальным методом, наностержни оксида цинка (ZnO) методом spin‑coating. Контроль вязкости, концентрации прекурсоров играет ключевую роль в регулировке толщины, однородности и стабильности сформированных пленок BV на Zno. Характеризация полученных образцов проводилась с помощью комплекса методов. Сначала использовалась UV–Vis‑спектроскопия, которая позволила определить спектр поглощения в видимой области после нанесения BiVO4. Далее методом рентгеноструктурного анализа (XRD) были подтверждены наличие моноклинной фазы BiVO4 и вюрцитной фазы ZnO, а также оценен уровень кристалличности образцов. Наконец, сканирующая электронная микроскопия (SEM) показала морфологию ZnO и стабильное покрытие их слоем BiVO4. Для оценки практических качеств гетероструктур BiVO4/ZnO было проведено фотоэлектрохимическое измерение с линейным вольтамперным сканированием в полевых естественных условиях, демонстрирующие работоспособность пленок в реальных условиях. Полученные результаты подтвердили, что предложенный метод двухступенчатого spin‑coating с оптимизированной вязкостью растворов позволяет создавать стабильные гетероструктуры, пригодные для применения в фотоэлектрохимических устройствах.





