Создание радиационных дефектов в кристаллах MgO, облученных высокоэнергетическими ионами
Просмотры: 100 / Загрузок PDF: 66
DOI:
https://doi.org/10.32523/2616-6836-2019-128-3-41-48Аннотация
Процессы создания анионных дефектов Френкеля были исследованы в кристаллах MgO, облученных быстрыми ионами 132Xe с энергией 0.23 ГэВ при комнатной температуре. Спектры оптического поглощения, измеренные при комнатной температуре в области 1.5-6.5 эВ с использованием двухлучевого спектрофотометра JASCO V-660, содержат несколько полос, приписываемых F + и F-центрам (кислородная вакансия с одним или двумя захваченными электронами соответственно) и простейшим агрегатным F 2 -центрам, а также полосу при 2.16 эВ. Полосы, связанные с примесями железа (около 3 ppm) располагаются около 4.26 и 5.74 эВ. Также были исследованы спектры поглощения кристалла MgO,
облученного X-лучами. Спектры катодолюминесценции (КЛ), измеренные при возбуждении электронами с энергией 10 кэВ при 5 К, содержат полосы излучения центров F + и F, максимумы которых расположены при 3.15 и 2.4 эВ соответственно.
