SiO 2 /Si тректi матрицаларына электрлi тұндырылған ZnO нанокристалдарының құрылымы, электрлiк қасиеттерi және люминесценциясы
Қаралымдар: 173 / PDF жүктеулері: 70
DOI:
https://doi.org/10.32523/2616-6836-2019-128-3-57-66Аңдатпа
Мақалада а-SiO 2 /Si-n тректi темплэйттерде мырышты электрохимиялық тұндыру (ЭХТ) арқылы алынған
ZnO нанокластерлерiн зерттеу нәтижелерi келтiрiлген. SiO 2 /Si құрылымы Xe 200 MэВ иондарымен (Ф = 10 8 ион/2) DC-60 циклотронында сәулелендiрiлiп, содан кейiн гидрофторлық қышқылдың (HF) судағы ертiндiсiнде химиялық күйдiрiлдi. Мырышты трек үлгiсiне электрохимиялық тұндыру (ЭХТ) потенциостатикалық режимде жүргiзiлдi. Тұндырылған үлгiлердiң бетi JSM 7500F сканерлеушi электронды микроскоптың көмегiмен зерттелдi. Рентгендiк құрылымдық талдау (XRD) D8 ADVANCE ECO рентгендiк дифрактометрiмен жүргiзiлдi. Рентгендiк құрылымдық
талдауына сәйкес, a-Si 2 О/Si-n тректi темплэйттерде мырышты электротұндыру кристалдық құрылымы мырышты қоспа ZB болатын ZnO нанокристалдарының түзiлуiне әкелдi. ZnO ZB нанокристалдары бар SiO 2 /Si үлгiлерiнiң вольтамперлiк сипаттамалары және фотолюминесценциясы зерттелдi. ZnO ZB және ZnO WS (кристалды құрылым - вюрцит) фотолюминесценция спектрлерiнiң құрылымы сәйкес келедi, алайда люминесценция жолақтарының қарқындылығы әртүрлi. Жолақтардың қарқындылығын салыстыру оттегiнiң бос орындары алынған ZnO ZB құрылымындағы басым
ақаулар болып табылатынын көрсеттi.
